>> ساخت سریعترین حافظه غیرفرار توسط دانشمندان چینی >> تیمی از پژوهشگران دانشگاه فودان در چ

>> ساخت سریعترین حافظه غیرفرار توسط دانشمندان چینی >> تیمی از پژوهشگران دانشگاه فودان در چین با موفقیت سریعترین دستگاه ذخیرهسازی نیمهنواحی جهان را ساختهاند. این حافظه فلش غیرفرار تحت عنوان قادر است تنها در ۴۰۰ پیکوثانیه یک بیت اطلاعات را برنامهریزی کند؛ این سرعت معادل نزدیک به ۲۵ میلیارد عملیات در هر ثانیه است. اعلام شده که این فناوری حدود ۱۰۰ هزار برابر سریعتر از حافظههای فلش موجود در بازار است.

در مقابل، حافظههای RAM معمولی در é نوشتن دادهها در بازه ۱ تا ۱۰. عمل میکنند، اما با قطع برق اطلاعات خود را از دست میدهند. حافظههای فلش الکلاسیکیه گرچه دادهها را بدون برق ذخیره میکنند، اما برای نوشتن هر بیت به چند میکروثانیه یا میلیثانیه وقت نیاز دارند؛ این élé محدود برای پردازشهای هوش مصنوعی که دادههای ترابایتی را در لحظه پردازش میکنند، یک است.

بازطراحی فیزیک حافظه فلش با گرافن دانشمندان تحت رهبری پروفسور ژو پنگ با جایگزینی کانالهای سیلیکونی سنتی با گرافن دوبعدی و بهرهگیری از انتقال بالستیک بار الکتریکی، ساختار فیزیکی حافظه فلش را از ساختهاند. این تغییرات به امکان میدهد تا هم ان غیرفرار باشد و هم سرعت é فوقالعادهای داشته باشد.

ویژگی غیرفراری به این معنی است که اطلاعات بدون نیاز به تغذیه مستمر ذخیره میشود؛ یک خصیصه کلیدی برای سیستمهای هوش مصنوعی و دستگاههای باتری محدود. ترکیب سرعت بالای بسیار بالا با مصرف انرژی ès، میتواند مشکل اصلی حافظه در سختافزارهای هوش مصنوعی را مرتفع سازد؛ زیرا در این سیستمها، بیشترین مصرف انرژی نه از محاسبات از جابهجایی داده بین ناشی میشود.

حافظه فلش همچنان یک ستون عمده در استراتژی جهانی استوری است و اکنون میگویند دستاورد دانشگاه فودان مکانیزمی کاملاً نوآورانه را ارائه داده که دارد این رشته را منقلب سازد. علاوه بر این، این پیشرفت میتواند در رقابت جهانی برایرهبری در فناوریهای پایه تراشه را تقویت نماید.

اگرچه اطلاعات دقیقی درباره دوام و بازده ساخت این حافظه هنوز منتشر نشده، استفاده از کانال گرافنی این الگو را نشان میدهد که این فناوری با فرآیندهای’ که در کارخانههای جهانی در حال کردن هستند، سازگار است.

ژو پنگ در این باره میگوید پیشرفت ما میتواند فناوری ذخیرهسازی را دگرگون کند، موتور پیشرفت صنعت شود و کاربردهای جدیدی را در پیش روی ما باز کند. در صورت تولید مقیاسپذیر، حافظههای میتوانند نیاز به کشهای پرسرعت SRAM در های هوش مصنوعی را بهطور کامل برطرف سازند؛ درنتیجه، هم مصرف انرژی و هم فضا اشغالشده به-CHIMGاه قابل کاهش مییابند.

این فناوری میś امکان tاپها و تلفنهای هوشمند با قابلیت روشن شدن آنی و مصرفúl منخفض را فراهم آورد. مهندسان دانشگاه فود در حال حاضر روی گسترش معماری سلولی و طراحی آزمایشهای سطح آرایهای متمرکز هستند. اگرچه تا این لحظه شرکای تجاری بزرگ اعلام نشده، اما खانههای چینی در حال رقابت برای ادغام مواد دوبعدی با خطوط تولید CMOS هستند. >>